[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201110070885.9 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102208329A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 岸本卓也;安藤幸嗣 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种基板处理装置具有：基板保持单元，其用于将基板保持为水平姿势；旋转单元，其使上述基板保持单元所保持的基板围绕铅垂轴线旋转；第一喷嘴，其具有第一相向面和形成于第一相向面的处理液喷出口，该第一相向面与通过上述旋转单元旋转的基板的下表面上的上述周边部的内侧的区域从该基板的下表面隔开间隔地相向；通过从上述处理液喷出口喷出的处理液，使基板的下表面与上述第一相向面之间的空间成为液密闭状态。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，使用处理液对基板的周边部施行处理，其特征在于，具有：基板保持单元，其用于将基板保持为水平姿势；旋转单元，其使上述基板保持单元所保持的基板围绕铅垂轴线旋转；第一喷嘴，其具有第一相向面和形成于第一相向面的处理液喷出口，该第一相向面与通过上述旋转单元旋转的基板的下表面上的上述周边部的内侧的区域从该基板的下表面隔开间隔地相向；通过从上述处理液喷出口喷出的处理液，使基板的下表面与上述第一相向面之间的空间成为液密闭状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
