[发明专利]硅片上的三维薄膜的成型方法无效
| 申请号： | 201110070312.6 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102693909A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 谢红梅;刘煊杰;库尔班·阿吾提 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片上的三维薄膜的成型方法，该方法包括：在所述硅片上刻蚀出一个第一凹陷；在所述第一凹陷处形成三维薄膜；在所述三维薄膜相对于所述第一凹陷的另外一侧，对硅片进行刻蚀得到第二凹陷，直到露出所述三维薄膜；关键在于，在形成所述第一凹陷后，以及形成所述三维薄膜之前，还包括，对所述第一凹陷内的硅片表面进行氧化处理，得到一层氧化硅；将得到的氧化硅腐蚀去除。本发明的三维薄膜的成型方法，可以成型出表面圆滑的三维薄膜，该三维薄膜没有明显的裂缝和棱角，结构强度好，适合于在后续工艺步骤中继续加工。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 三维 薄膜 成型 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片上的三维薄膜的成型方法，该方法包括：在所述硅片上刻蚀出一个第一凹陷；在所述第一凹陷处形成三维薄膜；在所述三维薄膜相对于所述第一凹陷的另外一侧，对硅片进行刻蚀得到第二凹陷，直到露出所述三维薄膜；其特征在于，在形成所述第一凹陷后，以及形成所述三维薄膜之前，还包括，对所述第一凹陷内的硅片表面进行氧化处理，得到一层氧化硅；将得到的氧化硅腐蚀去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
