[发明专利]太阳能电池绒面的制备方法有效
申请号: | 201110068058.6 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102148292A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 杨华 | 申请(专利权)人: | 上海采日光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京尚德技研知识产权代理事务所(普通合伙) 11378 | 代理人: | 严勇刚 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太阳能电池绒面的制备方法,所述太阳能电池绒面形成于太阳能电池硅片的受光面一侧的表面,所述制备方法采用纳米压印的方式,在制绒工艺开始前,将预先制备好的图案模板上的掩模材料以压印的方式转移到太阳能电池硅片表面,形成制绒工艺的掩模层,随后可使用湿法刻蚀或等离子刻蚀的方法进行制绒。本发明的太阳能电池绒面的制备方法这样可以更好的控制绒面的大小和形状,达到优化反射率的效果,最佳的反射率可以达到1%以下。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池绒面的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池绒面形成于太阳能电池硅片的受光面一侧的表面,所述制备方法包括如下步骤:A、制备用于纳米压印的图案模板,所述图案模板上具有由多个间隔分布的沟槽和突出面所形成的图案;B、对所述太阳能电池硅片进行预清洗和去除损伤层;C、在所述图案模板的所述图案的突出面上形成一层掩膜,然后通过纳米压印技术将所述掩膜压印到所述太阳能电池硅片的受光面一侧的表面上;D、对所述太阳能电池硅片的受光面一侧未覆盖所述掩膜的表面进行蚀刻;E、去除所述掩膜,在所述太阳能电池硅片的受光面一侧的表面形成规则的绒面结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海采日光伏技术有限公司,未经上海采日光伏技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068058.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高效温控热风炉
- 下一篇:电泳喷涂厂专用除粉尘除异味消毒净化浊气机换热器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的