[发明专利]基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池无效
| 申请号： | 201110067715.5 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102163638A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马绍栋;付非亚;王宇飞;王海玲;彭红玲;郑婉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30)，该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40)，该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50)，该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60)，该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明，解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题，达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 刻蚀 技术 sis 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，其特征在于，包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30)，该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40)，该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50)，该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60)，该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
