[发明专利]具有n层保护窗口层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池，具体涉及一种具有n层保护层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法。它是在衬底基板上依次沉积完p层、i层和n层以后，通过喷淋水气，在n层表面形成一层SiO2窗口层。用本发明的方法制备的非晶硅薄膜太阳能电池在非晶n层之后制备了一层SiO2窗口层，起到防止在磁控溅射背电极的时候由于溅射作用而对n层薄膜造成损害、进而导致太阳电池电子收集能力的下降。所制备的非晶硅薄膜太阳能电池的电子收集能力和转换效率更高，同时也可以使n层和背电极层之间更好的过渡。

主权项

具有n层保护窗口层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：它是在衬底基板上依次沉积完p层、i层和n层以后，通过喷淋水气，在n层表面形成一层SiO2窗口层，具体包括以下步骤：a）制备硅碳薄膜p层：在真空密闭腔室内，通入SiH4、H2、CH4、TMB气体，四种气体的比例依次为2:5:4:6，气体通入时间为40～70秒，在TCO玻璃衬底基板表面沉积硅碳薄膜p层；b)制备缓冲层：关闭TMB气体进气阀，继续通入SiH4、H2、CH4 气体30～50秒，流量比不变，在p型硅碳薄膜表面形成缓冲层；c) 制备本征i层：关闭CH4气体进气阀，继续通入SiH4、H2 气体，两种气体流量比为1:1，气体通入时间为600～660秒，在缓冲层表面沉积形成本征i层；d) 制备非晶n层：通入SiH4、H2、PH3气体，三种气体流量比为6:14:4，气体通入时间为40～60秒，在本征i层表面沉积非晶n层；e) 制备窗口层：n层沉积完毕后，喷淋3～5分钟的水气，在非晶n层表面生成一层SiO2窗口层；f)进入Sputter工序，磁控溅射背电极。