[发明专利]包括硬性或柔性基板的光电装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110065812.0 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102201489A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 明承烨 | 申请（专利权）人： | 韩国铁钢株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 邬玥;葛强 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供光电装置及其制造方法，该光电装置的制造方法包括：准备形成有第一电极的基板的步骤；通过第一制造系统形成包括上述第一电极上依次层压的第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第一单元电池的步骤；将上述第一单元电池上形成的中间反射膜的一部分或者上述第一单元电池的第二导电性硅层暴露在大气中的步骤；通过第二制造系统形成上述中间反射膜的剩余部分，或者是通过第二制造系统在上述第一单元电池的第二导电性硅层上形成上述整个中间反射膜的步骤；通过第二制造系统形成包括上述中间反射膜上依次层压的第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第二单元电池的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 硬性 柔性 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电装置的制造方法，包括：准备形成有第一电极的基板的步骤；通过第一制造系统形成包括上述第一电极上依次层压的第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第一单元电池的步骤；将上述第一单元电池上形成的中间反射膜的一部分或者上述第一单元电池的第二导电性硅层暴露在大气中的步骤；通过第二制造系统形成上述中间反射膜的剩余部分，或者是通过第二制造系统在上述第一单元电池的第二导电性硅层上形成上述整个中间反射膜的步骤；通过第二制造系统形成包括上述中间反射膜上依次层压的第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第二单元电池的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
