[发明专利]包括硬性或柔性基板的光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置的制造方法，包括：

准备形成有第一电极的基板的步骤；

通过第一制造系统形成包括上述第一电极上依次层压的第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第一单元电池的步骤；

将上述第一单元电池上形成的中间反射膜的一部分或者上述第一单元电池的第二导电性硅层暴露在大气中的步骤；

通过第二制造系统形成上述中间反射膜的剩余部分，或者是通过第二制造系统在上述第一单元电池的第二导电性硅层上形成上述整个中间反射膜的步骤；

通过第二制造系统形成包括上述中间反射膜上依次层压的第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第二单元电池的步骤。

2.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述中间反射膜的非硅元素浓度以离光入射方向越远其浓度越大的形式剖面分布。

3.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述中间反射膜通过在上述第一单元电池的第二导电性硅层上被沉积而形成，或者在上述第一单元电池的第二导电性硅层上通过扩散非硅元素而形成。

4.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述中间反射膜的一部分暴露在大气中后，对上述中间反射膜的一部分表面进行干蚀刻。

5.根据权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述第一单元电池的第二导电性硅层暴露在大气中后，对上述第一单元电池的第二导电性硅层的表面进行干蚀刻。

6.根据权利要求4或者5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述干蚀刻通过等离子进行。

7.根据权利要求4或者5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：进行上述干蚀刻过程中，流入杂质气体。

8.根据权利要求4所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述干蚀刻工序和形成上述中间反射膜剩余部分在一个工序腔室内进行。

9.根据权利要求5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述干蚀刻工序和形成上述整个中间反射膜在一个工序腔室内进行。

10.根据权利要求4或者5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述干蚀刻工序、形成上述中间反射膜和形成上述第二单元电池的第一导电性硅层在一个工序腔室内进行。

11.根据权利要求8或者9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成上述中间反射膜和上述第二单元电池的第一导电性硅层期间，上述一个工序腔室内的压力保持恒定。

12.根据权利要求10所述的光电装置的制造方法，其特征在于：进行上述干蚀刻工序、形成上述中间反射膜和形成上述第二单元电池的第一导电性硅层期间，上述一个工序腔室内的压力保持恒定。

13.根据权利要求7所述的光电装置的制造方法，其特征在于：上述第二导电性硅层为n型硅层时，上述杂质气体包括五族元素；上述第二导电性硅层为p型硅层时，上述杂质气体包括三族元素。

14.一种光电装置，包括：

柔性基板；

位于上述柔性基板上的第一电极；

位于上述第一电极上的包括第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第一单元电池；

位于上述第一单元电池上的离光入射方向越远非硅元素浓度越大的中间反射膜；

位于上述中间反射膜上的包括第一导电性硅层、纯硅层和第二导电性硅层的第二单元电池；

位于上述第二单元电池上的第二电极。

15.根据权利要求14所述的光电装置，其特征在于：上述中间反射膜包括氢化纳米晶硅物质或者氢化非晶硅物质。

16.根据权利要求15所述的光电装置，其特征在于：上述中间反射膜包括氢化纳米晶硅物质，上述第一单元电池的第二导电性硅层由氢化纳米晶硅构成。

17.根据权利要求14所述的光电装置，其特征在于：上述第一单元电池的第二导电性硅层为n型硅层时，上述中间反射膜包括氢化n型纳米晶硅物质；上述第一单元电池的第二导电性硅层为p型硅层时，上述中间反射膜包括氢化p型纳米晶硅物质。