[发明专利]具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201110064300.2 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102157640A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李璟;王国宏;魏同波;张杨;孔庆峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 gan 表面 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有p‑GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，形成GaN外延片；步骤2：将GaN外延片放入蒸发台，在P‑GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；步骤3：蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P‑GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；步骤4：将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；步骤5：再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；步骤6：在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；步骤7：在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。
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