[发明专利]静电放电保护电路无效
| 申请号： | 201110058324.7 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157520A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 程玉华;秦良 | 申请（专利权）人： | 苏州卓能微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了用低压PMOS器件实现ESD保护电路的技术方案，其中所述ESD保护电路，包括一个或多个PMOS器件，所述PMOS器件的工作电压小于或等于5伏特，且其栅极和源级相连；在包括多个PMOS器件所述的情况下，所述多个PMOS相互串联；其中所述PMOS器件与待保护电路中所有器件均由BCD工艺制作。因此，上述方案既解决了利用高压NMOS器件实现的ESD保护电路性能较差的问题，又降低了高压器件工艺制造过程中的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护电路，其特征在于，包括一个或多个PMOS器件，所述PMOS器件的工作电压小于或等于5伏特，且其栅极和源级相连。在包括多个PMOS器件所述的情况下，所述多个PMOS相互串联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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