[发明专利]玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法与设备无效
申请号: | 201110051027.X | 申请日: | 2011-03-01 |
公开(公告)号: | CN102653451A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 王耀铭 | 申请(专利权)人: | 三福化工股份有限公司 |
主分类号: | C03C15/00 | 分类号: | C03C15/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法与设备。在化学蚀刻过程中持续使蚀刻液由蚀刻槽输送到结晶槽,并保持蚀刻液在结晶槽内的温度低于在蚀刻槽内的温度,使溶解的蚀刻反应生成物在结晶槽内结晶。未沉降的结晶在流入加热装置先以过滤器滤出,再在加热装置中回复蚀刻液温度与浓度,再导入蚀刻槽进行蚀刻。加热方式包含外部热源及(或)浓蚀刻液补充时的稀释热,特别是以利用稀释热方式进行升温。因此,可达到连续结晶下蚀刻的目的,并避免蚀刻液在蚀刻槽内生成结晶而产生水波纹,进而提升玻璃基板的外观质量。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 连续 结晶 化学 蚀刻 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法,其特征在于包含:提供一蚀刻槽与一蚀刻液循环结晶装置,该蚀刻槽内储有至少包含氢氟酸的蚀刻液,该蚀刻液循环结晶装置包含一结晶槽、一第一过滤器与一加热装置,该第一过滤器连接在该结晶槽与该加热装置之间;以及进行一玻璃基板减薄步骤,使装载有多个玻璃基板的卡匣置入该蚀刻槽内,以化学蚀刻方式薄化该些玻璃基板的厚度,在化学蚀刻过程中同时借由一第一管线持续使该蚀刻槽内蚀刻液输送到该结晶槽,并保持在该结晶槽内蚀刻液温度低于在该蚀刻槽内蚀刻液温度,使该结晶槽内蚀刻液长晶生成结晶,其中未沉淀在该结晶槽底部的结晶在流入该加热装置之前先以该第一过滤器过滤出,并在该加热装置内借由至少包含补充浓蚀刻液的稀释热方式上升蚀刻液温度与浓度,再借由一第二管线导入至该蚀刻槽,使在化学蚀刻过程中在该蚀刻槽内的蚀刻液保持为未饱和状态,避免该蚀刻槽内生成结晶而附着在该些玻璃基板的表面。
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