[发明专利]玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法与设备

权利要求书

1.一种玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法，其特征在于包含：

提供一蚀刻槽与一蚀刻液循环结晶装置，该蚀刻槽内储有至少包含氢氟酸的蚀刻液，该蚀刻液循环结晶装置包含一结晶槽、一第一过滤器与一加热装置，该第一过滤器连接在该结晶槽与该加热装置之间；以及

进行一玻璃基板减薄步骤，使装载有多个玻璃基板的卡匣置入该蚀刻槽内，以化学蚀刻方式薄化该些玻璃基板的厚度，在化学蚀刻过程中同时借由一第一管线持续使该蚀刻槽内蚀刻液输送到该结晶槽，并保持在该结晶槽内蚀刻液温度低于在该蚀刻槽内蚀刻液温度，使该结晶槽内蚀刻液长晶生成结晶，其中未沉淀在该结晶槽底部的结晶在流入该加热装置之前先以该第一过滤器过滤出，并在该加热装置内借由至少包含补充浓蚀刻液的稀释热方式上升蚀刻液温度与浓度，再借由一第二管线导入至该蚀刻槽，使在化学蚀刻过程中在该蚀刻槽内的蚀刻液保持为未饱和状态，避免该蚀刻槽内生成结晶而附着在该些玻璃基板的表面。

2.如权利要求1所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法，其特征在于在该蚀刻槽内蚀刻液的温度控制在摄氏15-80度之间，在该结晶槽内蚀刻液的温度控制在摄氏10-79度之间。

3.如权利要求1所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法，其特征在于在该蚀刻槽内蚀刻液的温度控制在摄氏20-40度之间，在该结晶槽内蚀刻液的温度控制在摄氏18-38度之间。

4.如权利要求1所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法，其特征在于产生稀释热所添加的浓蚀刻液具有高于该蚀刻槽内蚀刻液的酸浓度，并且其成份至少包含氢氟酸。

5.如权利要求4所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法，其特征在于该蚀刻液与该浓蚀刻液为混合溶液，其成份包含第二酸，选自于硝酸、盐酸与硫酸的其中之一。

6.如权利要求4所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法，其特征在于该蚀刻液与该浓蚀刻液为混合溶液，其成份更包含缓冲盐。

7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法，其特征在于在执行上述玻璃基板减薄步骤之后，定期排放在该蚀刻槽内及(或)结晶槽内的部分蚀刻液及结晶，并且添加浓蚀刻液至该蚀刻槽。

8.一种玻璃基板连续结晶式化学蚀刻设备，其特征在于包含：

一蚀刻槽，其内储有至少包含氢氟酸的蚀刻液；以及

一蚀刻液循环结晶装置，包含一结晶槽、一第一过滤器与一加热装置，该第一过滤器连接在该结晶槽与该加热装置之间；

其中在化学蚀刻过程中借由一第一管线持续使该蚀刻槽内蚀刻液输送到该结晶槽，并保持在该结晶槽内蚀刻液温度低于在该蚀刻槽内蚀刻液温度，并在该加热装置内借由至少包含补充浓蚀刻液的稀释热方式上升蚀刻液温度与浓度，再借由一第二管线导入至该蚀刻槽。

9.如权利要求8所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻装置，其特征在于该结晶槽内附设有一降温装置。

10.如权利要求8或9所述的玻璃基板连续结晶式化学蚀刻装置，其特征在于该蚀刻液循环结晶装置更包含一第二过滤器，连接在该加热装置与该蚀刻槽之间。