[发明专利]通过施加机械应力到晶粒接触以评估复杂半导体器件的金属堆叠完整性有效
| 申请号： | 201110048601.6 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102194723A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | H·盖斯勒;M·莱尔;F·屈兴迈斯特;M·格里伯格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N29/04;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过施加机械应力到晶粒接触，并依据测量系统和测量程序，可评估复杂的半导体器件的金属化系统的机械完整性，在该测量系统和测量程序中，个别的接触组件(例如金属柱(pillar)或焊接凸点(solder bump))是机械激发，而确定金属化系统的响应，例如直接测量力的形式，以定量评估金属化系统的机械状态。在这种方式下，可以有效地评估复杂的材料系统和其间的相互影响。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 施加 机械 应力 晶粒 接触 评估 复杂 半导体器件 金属 堆叠 完整性 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：通过施加机械力在金属化系统中形成、并在介质材料的表面上方延伸的个别地芯片接触组件，以在半导体器件的该金属化系统的该介质材料中诱导机械应力；以及确定标示该介质材料对该诱导的机械应力的回应的至少一个参数值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110048601.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：静电喷涂设备
- 下一篇：红外线-紫外线复合治疗仪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
