[发明专利]锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法

摘要

一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层；步骤5：在p+型GaAs层上蒸发上金属电极；步骤6：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤7：在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层；步骤8：剥离减反层，使上金属电极裸露；步骤9：在衬底的下表面制作下金属电极，形成电池组件；步骤10：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。

主权项

一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层；步骤5：在p+型GaAs层上蒸发上金属电极；步骤6：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤7：在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层；步骤8：剥离掉覆盖在上金属电极表面的减反层，使上金属电极裸露；步骤9：在衬底的下表面制作下金属电极，形成电池组件；步骤10：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。