[发明专利]MRAM器件及其装配方法有效

专利信息
申请号: 201110044560.3 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102651449A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 李军;王建洪;徐雪松;姚晋钟;于万铭 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种装配磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法,包括提供衬底,所述衬底具有在中央安置的孔。胶带被施加到所述衬底的第一主表面,以及第一磁屏蔽被配置到所述胶带上和所述衬底开口内。在所述第一磁屏蔽和所述衬底之间施加粘合剂,由此使得所述第一磁屏蔽连附到所述衬底。固化粘合剂。一种半导体器件连附到第一磁屏蔽的顶表面,并且利用线接合方法使用线路将所述MRAM管芯的接合衬垫电气地连接到所述衬底的与所述第一主表面相反的第二主表面上的相应衬垫。第二磁屏蔽连附到所述MRAM管芯的顶表面。封装材料被分配到所述衬底的所述第二主表面、所述MRAM管芯、所述第二磁屏蔽和所述第一磁屏蔽的顶表面的一部分上。随后固化所述封装材料并去除所述胶带。随后将焊球连附到所述衬底的所述第一主表面。
搜索关键词: mram 器件 及其 装配 方法
【主权项】:
一种装配半导体器件的方法,包括如下步骤:提供衬底,在所述衬底中具有在中央安置的开口;将胶带施加到所述衬底的第一主表面;将第一磁屏蔽配置到所述胶带上和所述衬底开口内;在所述第一磁屏蔽和所述衬底之间施加粘合剂,以使得所述第一磁屏蔽连附到所述衬底;以及去除所述胶带。
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