[发明专利]电流体显示元件及驱动方法无效
申请号: | 201110043929.9 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102540615A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 古昀生;郑惟元;郭书玮;李信宏;罗国隆 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G02F1/167 | 分类号: | G02F1/167;G09G3/34 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;张燕华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种电流体显示元件及驱动方法,电流体显示元件包括第一结构层与第二结构层。第一结构层包括第一基板。又一沟渠结构层设置在第一基板上。沟渠结构层有至少一个沟渠,对应于第二基板的一凹陷沟槽呈现环绕。第一电极层设置在第一基板上与至少一个沟渠共形。第一疏水层设置在第一电极层上与至少一个沟渠共形。第二结构层包括第二基板设置在第一基板的一边,且相隔一间隙。一沟槽结构层设置在第二基板上,其中沟槽结构层有凹陷沟槽,被第一基板的沟渠所环绕。一第二电极层设置在沟槽结构层上。一第二疏水层设置在第二电极层上。一极性流体置于凹陷沟槽中且与第一疏水层接触。一非极性流体置于第一基板与第二基板间的间隙。 | ||
搜索关键词: | 流体 显示 元件 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种电流体显示元件,其特征在于,包括:一第一结构层,包括:一第一基板、一沟渠结构层、一第一电极层以及一第一疏水层,该沟渠结构层设置在该第一基板上,其中该沟渠结构层有至少一个沟渠,对应于一第二基板的一凹陷沟槽呈现环绕;该第一电极层设置在该第一基板上与该至少一个沟渠共形;该第一疏水层设置在该第一电极层上与该至少一个沟渠共形;一第二结构层,包括:该第二基板、一沟槽结构层、一第二电极层以及一第二疏水层,该第二基板设置在该第一基板的一边,且相隔一间隙;该沟槽结构层设置在该第二基板上,其中该沟槽结构层具有该凹陷沟槽,被该第一基板的该沟渠环绕;该第二电极层设置在该沟槽结构层上;该第二疏水层设置在该第二电极层上;一极性流体,置于该凹陷沟槽中且与该第一疏水层接触,以及一非极性流体,置于该第一基板与该第二基板间的该间隙。
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