[发明专利]等离子洗净方法无效
申请号: | 201110042681.4 | 申请日: | 2011-02-22 |
公开(公告)号: | CN102164457A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 福田正行;村上直也 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术仪器 |
主分类号: | H05K3/26 | 分类号: | H05K3/26;H05H1/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 对经由热硬化型的硅类粘着剂安装了半导体元件的基板进行等离子处理,除去粘着剂中包含的硅氧烷成分,使得能够进行之后的可靠性高的引线接合等。使真空腔(1)成为规定的真空状态,将来自高频电源(10)的高频电压施加到下部电极(3)。此外,打开开闭阀(23),在上部电极(2)和下部电极(3)之间供应六氟化硫气体来进行等离子化。然后,六氟化硫气体的氟与硅类粘着剂(7)中的硅结合,该硅经由真空通道(6)被排出到装置外部。在进行了60秒的该等离子洗净之后,经过5秒后,在上部电极(2)和下部电极(3)之间供应氩气来进行等离子化。然后,氩气的氩与六氟化硫气体中的硫结合,该硫经由真空通道(6)被排出到装置外部。 | ||
搜索关键词: | 等离子 洗净 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子洗净方法,在腔内设置一对电极,在成为真空状态的腔内容纳经由硅类粘着剂而安装了半导体元件的基板,供应等离子反应性气体,并且通过高频电源对所述一对电极施加高频电压,使所述反应性气体等离子化,从而洗净所述基板,将该洗净之后的等离子化了的反应性气体排出到装置外,其特征在于,首先,使用六氟化硫气体作为所述反应性气体,六氟化硫气体的氟与包含在硅类粘着剂中、并且附着在所述半导体元件的表面上的硅氧烷中的硅结合,从而除去该硅,接着,使用氩气作为所述反应性气体,该氩气中的氩除去在所述半导体元件或安装了该半导体元件的基板上附着的硫。
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