[发明专利]非挥发性存储器有效
| 申请号： | 201110041908.3 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102646790A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 曾俊元;李岱萤 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非挥发性存储器。上述非挥发性存储器包括一下导电层；一电阻转态层，设置于上述下导电层上；一氧缺缓冲层，设置于上述电阻转态层上；以及一上导电层，设置于上述氧缺缓冲层上。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储器，其特征在于，所述的非挥发性存储器包括：一下导电层；一电阻转态层，设置于所述的下导电层上；一氧缺缓冲层，设置于所述的电阻转态层上；以及一上导电层，设置于所述的氧缺缓冲层上。
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