[发明专利]可操作于超负荷应力模式的存储器装置有效
| 申请号： | 201110038598.X | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102169716A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘士晖;陈子豪;余德益;郭明宏 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激活二条隔离字元线之间的二条主动字元线中的一条主动字元线至一逻辑高电位，以及浮接该二条主动字元线中的另一条主动字元线；然后激活对应于具有该逻辑高电位的主动字元线的多个第一存储细胞至一逻辑1电位，以及写入对应于具有该浮接的主动字元线的多个第二存储细胞至一逻辑0电位；再来写入该逻辑1电位至多条位元线；之后电荷分享一第三预定时间；最后读取该浮接的主动字元线的电位，以判断是否有漏电流路径存在于该浮接的主动字元线与该逻辑高电位的主动字元线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 可操作 超负荷 应力 模式 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种可操作于超负荷应力模式的存储器装置，其特征在于，包含：M条隔离字元线，其中M为4的正整数倍；多条主动字元线；多条位元线；M个第一开关，其中，每一第一开关具有一第一端，用以接收一低电压；一第二端，用以接收一第一控制电压；一第三端，耦接于一条隔离字元线；及M个第二开关，其中，第4n+1个第二开关具有一第一端，用以接收一第一应力电压；一第二端，用以接收一第二控制电压；一第三端，耦接于第4n+1条隔离字元线；第4n+2个第二开关具有一第一端，用以接收一第二应力电压；一第二端，用以接收该第二控制电压；一第三端，耦接于第4n+2条隔离字元线；第4n+3个第二开关具有一第一端，用以接收该第一应力电压；一第二端，用以接收该第二控制电压；一第三端，耦接于第4n+3条隔离字元线；第4n+4个第二开关具有一第一端，用以接收该第二应力电压；一第二端，用以接收该第二控制电压；一第三端，耦接于第4n+4条隔离字元线；其中n为正整数或零，4n≤M‑4，且每连续二条隔离字元线之间具有二条主动字元线，该二条主动字元线及该多条位元线是用以控制多个存储细胞。
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