[发明专利]等离子体处理系统中的选择性控制

摘要

本发明提供了一种用于穿过半导体基片上给定层来蚀刻功能部分的等离子体处理系统中的方法。该方法包括将基片放在等离子体处理系统的等离子体处理室中。该方法也包括使蚀刻剂气体混合物流入等离子体处理室，该蚀刻剂气体混合物用于蚀刻给定层。该方法还包括由蚀刻剂源气体轰击等离子体。此外，该方法还包括至少部分穿过该给定层蚀刻功能部分，同时向基片施加偏压RF信号。该偏压RF信号具有在约27MHz至约75MHz之间的偏压RF频率；和偏压RF功率分量，其用于使得蚀刻功能部分被以比预定选择性阈值高的对所述基片的第二层的蚀刻选择性蚀刻，或使得部分功能被以所述偏压RF频率根据预定蚀刻速度参数和蚀刻轮廓参数蚀刻。

主权项

一种在等离子体处理系统中选择性蚀刻基片的方法，所述等离子体处理系统包括上部电极和下部电极，所述基片包括由第一材料形成的第一层和和由第二材料形成的第二层，所述第一材料具有用于蚀刻的第一离子能量阈值，所述第二材料具有用于蚀刻的第二离子能量阈值，所述第二离子能量阈值大于所述第一离子能量阈值，所述方法包含：将所述下部电极耦合于所述基片；向所述下部电极提供偏压RF信号以产生离子能量分布；以及将所述偏压RF信号的偏压频率配置为：所述离子能量分布的平均离子能量值在所述第一离子能量阈值和所述第二离子能量阈值之间，以及所述第一离子能量阈值和所述离子能量分布的所述平均离子能量值之间的第一差大于所述第二离子能量阈值和所述离子能量分布的所述平均离子能量值之间的第二差。