[发明专利]一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201110036749.8 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102180674A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 罗朝华;江东亮;张景贤;林庆玲;陈忠明;黄政仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法，其特征在于采用流延成型和叠层工艺制备出多孔的含碳素坯，并应用于反应烧结碳化硅陶瓷的制备。包含如下步骤：不同比例C/SiC混合粉体在加入适量溶剂、分散剂与粘结剂混合均匀后，将所得到的浆料流延成型得到薄膜。室温干燥后将流延膜剪裁成所需要的尺寸，叠加并在1-30MPa压力下干压成具有一定厚度的多层结构，然后在真空炉中脱粘，最后将脱粘后的素坯在真空炉中反应渗硅，反应温度在1420-1650℃之间，保温时间为5-60分钟。有利于素坯中SiC与C粉的分散以及孔径分布和孔隙率的控制，而且还具有可叠层设计的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 烧结 sic 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法，包括多孔含碳素坯的制作和对该素坯反应渗硅，其特征在于采用流延成型工艺和叠层工艺制成多孔含碳素坯并对该素坯。
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