[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该方法实现了减少注入掩膜，本发明还提供了这样一种半导体器件。通过使用抗蚀剂掩膜和另一个抗蚀剂掩膜作为所述注入掩膜向NMOS区注入硼，形成了充当存取晶体管和驱动晶体管的晕区的p型杂质区。还通过使用另一个抗蚀剂掩膜作为注入掩膜向PMOS区注入磷或砷，形成了充当负载晶体管的晕区的n型杂质区。

主权项

一种具有静态随机存取存储器的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底的主表面中形成隔离绝缘薄膜以限定待形成第一导电类型的晶体管的第一元件形成区和待形成第二导电类型的晶体管的第二元件形成区中的每一个；在所述第一元件形成区中形成包括第一栅极结构和第二栅极结构的栅极结构，所述第一栅极结构布置于彼此间隔开的第一区域和第二区域之间的区域之上，所述第二栅极结构布置于所述第二区域和与所述第二区域间隔开的第三区域之间的区域之上；形成第一注入掩膜，所述第一注入掩膜具有第一开口，所述第一开口露出所述第一栅极结构的面向所述第二区域的第一侧表面并露出从所述第一侧表面延伸至所述第二区域的与所述第一侧表面间隔开预定距离的部分的区域，并且所述第一注入掩膜覆盖所述第一栅极结构的面向所述第一区域的第二侧表面、所述第一区域和所述第二元件形成区；通过所述第一注入掩膜经由所述第一开口以与垂直于所述半导体衬底的主表面的方向相倾斜的角度注入第一杂质；移除所述第一注入掩膜；形成第二注入掩膜，所述第二注入掩膜具有第二开口，所述第二开口露出所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域，并且所述第二注入掩膜覆盖所述第二元件形成区；通过所述第二注入掩膜经由所述第二开口以与垂直于所述半导体衬底的主表面的方向相倾斜的角度注入具有第二导电类型的第二杂质；移除所述第二注入掩膜；以及形成电耦合至所述第一区域的位线，并形成布线，所述布线将所述第二元件形成区的充当具有所述第二导电类型的晶体管的源电极或漏电极的区域电耦合至所述第二区域，所述布线充当存储节点。