[发明专利]半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110034657.6 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102638001A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;徐智鹏;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器，其包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间的活性层。该N型半导体层具有一个远离该活性层的第一表面。该P型半导体层具有一个远离该活性层的第二表面。该半导体激光器包括位于该第一表面与该第二表面之间的两个相对的侧面。该N型半导体层与该P型半导体层均为六方晶系半导体层。该半导体激光器的两个侧面上形成有两个四方晶系半导体层。每一四方晶系半导体层具有远离与之对应的侧面的一个外表面，该两个四方晶系半导体层的两个外表面相互平行，以构成该半导体激光器的谐振腔的两端面。本发明还涉及一种半导体发激光器的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，其包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间的活性层，该N型半导体层具有一个远离该活性层的第一表面，该P型半导体层具有一个远离该活性层的第二表面，该半导体激光器包括位于该第一表面与该第二表面之间的两个相对的侧面，其特征在于：该N型半导体层与该P型半导体层均为六方晶系半导体层，该半导体激光器进一步包括形成在该两个侧面上的两个四方晶系半导体层，每一四方晶系半导体层具有远离与之对应的侧面的一个外表面，该两个四方晶系半导体层的两个外表面相互平行，以构成该半导体激光器的谐振腔的两端面。
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