[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201110032637.5 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102194974A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 金省均;范熙荣;林祐湜;秋圣镐 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;王伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：基板、至少一个电极、第一接触层、第二接触层、发光结构层、以及电极层。该电极布置成穿过所述基板。第一接触层布置在所述基板的顶表面上并且电连接到所述电极。第二接触层布置在所述基板的底表面上并且电连接到所述电极。发光结构层布置在所述基板上方，离所述基板有一定距离并且电连接到第一接触层。所述发光结构层包括第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层。所述电极层布置在发光结构层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：基板；至少一个电极，所述至少一个电极布置成穿过所述基板；第一接触层，所述第一接触层布置在所述基板的顶表面上，并且电连接到所述电极；第二接触层，所述第二接触层布置在所述基板的底表面上，并且电连接到所述电极；发光结构层，所述发光结构层布置在所述基板上方，离所述基板有一定距离并且电连接到所述第一接触层，所述发光结构层包括第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层；以及电极层，所述电极层位于所述发光结构层上，其中，所述电极的下侧部分比所述电极的上侧部分宽。
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