[发明专利]一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备有效
| 申请号： | 201110031567.1 | 申请日： | 2011-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102126725A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;战丽姝;姜大川;顾正;邹瑞洵 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 于忠晶 |
| 地址： | 116025 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法，先将需提纯的大块高磷、高金属多晶硅锭置于水冷升降托盘之上，后通过电子束熔化硅锭的顶部，熔化的硅熔液在由硅锭顶部、水冷铜套以及石墨套环形成的空间内形成浅熔池，熔炼一定时间后，去除杂质磷，此后升高水冷升降托盘，低磷硅熔液液面升高后通过导流口流入石英坩埚中，在保温作用下向下拉锭，进行定向凝固生长，金属杂质向硅锭顶部富集，凝固后切除硅锭顶部，去除金属杂质。本发明综合电子束浅熔池熔炼和定向凝固去除硅中的杂质磷和金属。多晶硅的纯度达到太阳能级硅的使用要求，节约能源，工艺简单，生产效率高，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 熔池 熔炼 提纯 多晶 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法，其特征是：先将需提纯的大块高磷、高金属多晶硅锭置于水冷升降托盘之上，后通过电子束熔化硅锭的顶部，熔化的硅熔液在由硅锭顶部、水冷铜套以及石墨套环形成的空间内形成浅熔池，熔炼一定时间后，去除杂质磷，此后升高水冷升降托盘，低磷硅熔液液面升高后通过导流口流入石英坩埚中，在保温作用下向下拉锭，进行定向凝固生长，金属杂质向硅锭顶部富集，凝固后切除硅锭顶部，去除金属杂质，最后得到低磷、低金属多晶硅锭。
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