[发明专利]OTP器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110029501.9 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102122641A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙凌;黄庆丰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/314;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种OTP器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅，所述半导体基底上还形成有介质层，覆盖所述半导体基底的表面、选择栅和浮栅；在所述介质层的表面上依次形成抗反射层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图形化，定义出所述浮栅的图形；以所述图形化后的光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层和介质层进行刻蚀，至暴露出所述选择栅的表面；去除所述图形化后的光刻胶层；以所述抗反射层为掩膜，刻蚀去除所述半导体基底表面上剩余的介质层。本发明能够防止浮栅上方的介质层被刻蚀以致厚度过小的问题，有利于避免OTP器件的数据保持能力受到影响。 | ||
| 搜索关键词： | otp 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种OTP器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅，所述半导体基底上还形成有介质层，覆盖所述半导体基底的表面、选择栅和浮栅；在所述介质层的表面上依次形成抗反射层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图形化，定义出所述浮栅的图形；以所述图形化后的光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层和介质层进行刻蚀，至暴露出所述选择栅的表面；去除所述图形化后的光刻胶层；以所述抗反射层为掩膜，刻蚀去除所述半导体基底表面上剩余的介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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