[发明专利]壳体及其制造方法无效
| 申请号： | 201110026824.2 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102605326A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;詹益淇;陈晓强 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种壳体，包括铝或铝合金基体、依次形成于该铝或铝合金基体上的铝膜层和防腐蚀膜层，该防腐蚀膜层为氧化铝梯度膜，其掺杂有钕金属离子，所述氧化铝梯度膜中氧的原子百分含量由靠近铝或铝合金基体至远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加，所述钕金属离子的掺杂方式为离子注入。该通过离子注入掺杂了钕金属离子的氧化铝梯度膜组成的复合膜层显著地提高了所述壳体的耐腐蚀性。本发明还提供了上述壳体的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 壳体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种壳体，包括铝或铝合金基体，其特征在于：该壳体还包括依次形成于该铝或铝合金基体上的铝膜层和防腐蚀膜层，该防腐蚀膜层为氧化铝梯度膜，其掺杂有钕金属离子，所述氧化铝梯度膜中氧的原子百分含量由靠近铝或铝合金基体至远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加，所述钕金属离子的掺杂方式为离子注入。
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