[发明专利]黄铜矿系薄膜太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201110022241.2 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102610689A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄崇哲 | 申请（专利权）人： | 黄崇哲 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵;雒纯丹 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种黄铜矿系薄膜太阳能电池的制备方法，该方法包含下列步骤：(a)利用非真空制程，使用铜、铟、镓等金属与氯化氢或氯气来原位生成反应前驱物，随后再与硒化氢或硫化氢反应；(b)配合气相磊晶生长技术来制备硒/硫化铜铟镓系及硒/硫化铜锌锡系薄膜太阳能电池的光吸收层；以及(c)配合氧气来制备薄膜太阳能电池的缓冲层与透明导电层。采用本发明的方法能够制备出高纯度黄铜矿系薄膜太阳能电池，同时大大节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 黄铜矿 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种黄铜矿系薄膜太阳能电池的制备方法，该方法包含下列步骤：(a)利用非真空制程，使用高纯度铜、铟、镓等金属与氯化氢或氯气来原位生成反应前驱物，随后再与硒化氢或硫化氢反应；(b)配合气相磊晶生长技术来制备硒/硫化铜铟镓系及硒/硫化铜锌锡系薄膜太阳能电池的光吸收层；以及(c)配合氧气来制备薄膜太阳能电池的缓冲层与透明导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
