[发明专利]一种制备硫化镉纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种纳米材料的制备方法，具体是指一种硫化镉米线的制备方法。本发明是通过脉冲电子束沉积技术，先将硫化镉粉和硫粉混合均匀，然后压成靶材，再将硅(Si)衬底表面用磁控溅射法镀一层金(Au)薄膜。最后在脉冲电子束沉积过程中，先将腔体抽真空后，用脉冲电子束在一定频率、在一定电压情况下，在高温条件下进行沉积处理。最后得到Si衬底表面有一层黄色的沉积物为硫化镉纳米线。本发明的优点是：工艺可控性强，易操作，成本低，制得的产物纯度高。

主权项

一种制备硫化镉纳米线的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)先将硫化镉粉和硫粉用研磨混合均匀，其中硫化镉粉与硫粉的摩尔比为5‑12∶1；(2)然后用压片机将混合物压成靶材，其中压片机的压力为15兆帕以上；(3)在硅衬底表面用磁控溅射法镀一层厚度为8‑12纳米的金薄膜；(4)把靶材放置在脉冲电子束沉积系统的靶台位置，用导电银胶将镀金的硅衬底粘在不锈钢加热器上，其中加热器的温度为750‑900℃；(5)在脉冲电子束沉积过程中，先将腔体抽真空，通入氩气，使得腔体内的压力为10毫托；其中，靶材与硅衬底的距离设定为4‑8厘米，脉冲电子束的频率为3‑5赫兹，并将电子束的电压固定在10‑20千伏；沉积时间为20‑60分钟；(6)将脉冲电子束沉积系统冷却至室温后将硅衬底取出，硅衬底表面的沉积物为硫化镉纳米线。