[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法。该多晶硅薄膜晶体管包括有源层，其中所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成。本发明中，通过事先在硅氧化物层上定义完全等宽的凹槽获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，从而可以使整个多晶硅薄膜成为高性能的薄膜晶体管有源层，因此解决了玻璃衬底收缩引起掩膜错位的问题，进而提高了晶体管的性能。

主权项

一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法，所述多晶硅薄膜晶体管包括有源层，所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成，该方法包括以下步骤：1)在绝缘衬底上形成阻挡层，并在该阻挡层上沉积非晶硅薄膜层；2)在所述非晶硅薄膜上形成氧化层，并对该氧化层进行光刻，以形成间距相同、尺寸相等的凹槽；3)在所述氧化层及凹槽表面覆盖金属诱导层；4)退火处理，退火温度为590℃，时间为1小时，以使非晶硅薄膜完全结晶，从而得到具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜；5)使用湿式刻蚀将所述步骤4)的多晶硅薄膜布图为有源岛；6)在该有缘岛上沉积50nm低温氧化物作为栅绝缘层；7)定义栅电极和扫描线，将4×1015/cm2的硼注入到源和漏中，然后沉积500nm的氧化物作为隔离层，在栅电极上开接触孔；8)溅射700nm铝‑1％硅并布图以互连，在420℃下接触烧结30分钟，同时激活掺杂剂。