[发明专利]编程电阻存储单元的方法和装置无效
| 申请号： | 201110006817.6 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102592667A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘明;连文泰;龙世兵;刘琦;李颖弢;张森;王艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种编程电阻存储单元的方法和装置。该方法包括：采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作，第二编程脉冲比第一编程脉冲的宽度长。本发明中，采用增长脉冲宽度的编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 电阻 存储 单元 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种编程电阻存储单元的方法，其特征在于，包括：采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对所述电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作，所述第二编程脉冲比所述第一编程脉冲的宽度长。
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