[发明专利]具有快速瞬时响应机制的降压电路及其运作方法有效
| 申请号： | 201110005211.0 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102594146A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李秋平;尹明德 | 申请（专利权）人： | 原景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾台南县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有快速瞬时响应机制的降压电路，包含：高侧、低侧金属氧化物半导体晶体管、瞬时控制模块以及运作控制模块。低侧金属氧化物半导体晶体管与高侧金属氧化物半导体晶体管通过连接点相连接，以于连接点根据高侧金属氧化物半导体晶体管所接收的输入电压产生输出电压至外部负载。运作控制模块在外部负载位于重载状态而使瞬时控制模块抑能时，根据输出电压控制高侧金属氧化物半导体晶体管以及低侧金属氧化物半导体晶体管的运作。当外部负载由重载状态转移至轻载状态而使输出电压升高超过预设准位时，瞬时控制模块被致能，以使低侧金属氧化物半导体晶体管导通并进行放电以降低输出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 快速 瞬时 响应 机制 降压 电路 及其 运作 方法 | ||
【主权项】：
一种具有快速瞬时响应机制的降压电路，其特征在于，包含：一高侧金属氧化物半导体晶体管，用以接收一输入电压；一低侧金属氧化物半导体晶体管，连接于该高侧金属氧化物半导体晶体管与一接地电位之间，其中该高侧及该低侧金属氧化物半导体晶体管通过一连接点相连接，以于该连接点根据该输入电压产生一输出电压至一外部负载；一瞬时控制模块，连接至该低侧金属氧化物半导体晶体管的栅极；以及一运作控制模块，连接至该高侧金属氧化物半导体晶体管的栅极及该低侧金属氧化物半导体晶体管的栅极，以在该外部负载位于一重载状态而使该瞬时控制模块抑能时，根据该输出电压控制该高侧金属氧化物半导体晶体管以及该低侧金属氧化物半导体晶体管的运作；其中当该外部负载由该重载状态转移至一轻载状态，而使该输出电压升高超过一预设准位时，该瞬时控制模块被致能，以使该低侧金属氧化物半导体晶体管导通并进行放电以降低该输出电压。
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