[发明专利]一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法有效

专利信息
申请号: 201110004974.3 申请日: 2011-01-11
公开(公告)号: CN102142483A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 余学功;顾鑫;杨德仁;许敬琳;雷东;曾令胜;叶浩挺 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;B05D5/02;B05D3/02;B05D3/04
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法,采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液,在硅太阳电池片迎光面上,丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液,烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全,在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度,再进行二次常规热处理退火,实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点,具有较大的应用前景。
搜索关键词: 一种 太阳电池 表面 等离子体 增益 方法
【主权项】:
一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将颗粒尺寸为20‑200nm的金属纳米颗粒分散在醇溶剂中,制备得到金属纳米颗粒的浓度为0.001‑0.9摩尔/升的金属纳米颗粒胶体溶液;(2)在硅太阳电池片的迎光面上,丝网印刷或喷淋或旋涂由步骤(1)制得的金属纳米颗粒胶体溶液,在100‑150℃下烘烤,使醇溶剂从电池片表面挥发完全;(3)将步骤(2)得到的电池片在保护气体氛围下,200~500℃的退火温度,进行快速热处理,所述的保护气体为氮气、氩气和氢气中的一种或多种,快速热处理时间为10‑60s;(4)将步骤(3)得到的电池片在保护气体氛围下,150~400℃的退火温度,进行常规热处理,所述的保护气体为氮气、氩气和氢气中的一种或多种,常规热处理时间为0.3‑4h。
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