[发明专利]单管存储器阵列擦除的方法

摘要

本发明公开了一种单管存储器阵列擦除的方法，先将各目标存储器单元的阈值电压擦除到给定的阀值电压上限值以下，再利用热载流子注入性质随存储管单元阈值电压不同而变化的特性，最终使单管存储器阵列的各目标存储器单元的擦除状态下的阈值电压分布在给定的安全窗口范围之内：阈值电压较低的过擦除的目标存储器单元被注入热电子，使其阈值电压被提高至给定的阀值电压下限值以上，以避免读取干扰；阈值电压较高的弱擦除的目标存储器单元被注入空穴，使其阈值电压收敛于给定的阀值电压上限值以下，使其有足够的擦除窗口以满足数据保持力可靠性的要求。

主权项

一种单管存储器阵列擦除的方法，其特征在于，包括以下步骤；一.对各目标存储器单元进行擦除；二.将各目标存储器单元的当前阀值电压分别同一阀值电压上限值进行比较，如果有一目标存储器单元的当前阀值电压大于所述阀值电压上限值，则进行步骤一，否则进行步骤三；三.将各目标存储器单元的衬底和源极接地，栅极和漏极分别接脉冲电压；四.将各目标存储器单元的当前阀值电压分别同一阀值电压下限值进行比较，如果各目标存储器单元的当前阀值电压都大于所述阀值电压下限值，则进行步骤七，否则进行步骤五；五.将各目标存储器单元的漏极所接脉冲电压的高电平值保持不变，栅极所接脉冲电压的高电平值增加；六.将栅极所接脉冲电压的高电平值同一电平门限值比较，如果栅极所接脉冲电压的高电平值高于所述电平门限值，进行步骤七，否则进行步骤四；七.结束加在各目标存储器单元的栅极和漏极上的脉冲电压输入，擦除结束。