[发明专利]薄膜晶体管、开关电路以及场效应晶体管有效
| 申请号： | 201110002057.1 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102130156A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 尾关芳孝;桑原康人;鸟山重隆;池田裕幸 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768;G09G3/36;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了薄膜晶体管、开关电路以及场效应晶体管。该薄膜晶体管包括一个具有源极区、漏极区和沟道区的半导体层，其中，沟道区设置在源极区和漏极区之间；一个栅电极与沟道区交叠；该沟道区包括一个沟道宽度，其配置为至少一个在长度方向上连续减小和连续增大的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 开关电路 以及 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：半导体层，包括：源极区、漏极区和沟道区，其中，所述沟道区设置在所述源极区和所述漏极区之间；以及栅电极，与所述沟道区交叠，其中，所述沟道区包括被配置为在长度方向上连续减小和连续增大中的至少一种的至少一部分沟道宽度。
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