[发明专利]Flash EEPROM动态参考源电路结构

摘要

本发明公开了一种Flash EEPROM动态参考源电路结构，其包括：一组参考单元，其组成参考单元阵列；参考单元译码电路，其复用存储器阵列单元的字选择译码电路。所述参考单元与每条字线上的每个操作单元一一对应，读操作时其生成参考单元导通电流，该电流通过参考单元位线流入灵敏放大器，同时与该参考单元对应的操作单元的存储单元的读出电流通过存储单元位线流入灵敏放大器，通过比较该参考单元导通电流与各存储单元的读出电流的幅值以实现对存储数据的读出；编程操作时，目标数据写入存储单元的同时，所述参考单元被刷新重写。该电路结构能够消除寄生负载对灵敏放大器输入端的影响，跟踪存储单元阈值电压漂移，提高芯片性能的稳定性、可靠性和耐久性。

主权项

一种Flash EEPROM动态参考源电路结构，其特征在于，包括：一组参考单元，其组成参考单元阵列，各所述参考单元具有与存储器存储单元位线相互平行的参考单元位线，所述参考单元与每条字线上的每个操作单元一一对应，并与对应的操作单元的各存储单元共用该字线，所述参考单元阵列散布于存储器阵列单元中；参考单元译码电路；所述参考单元译码电路根据操作地址，译码选中正确的参考单元，读操作时参考单元中生成参考单元导通电流，该参考单元导通电流通过所述参考单元位线流入灵敏放大器，同时与该参考单元对应的操作单元的存储单元的读出电流通过存储单元位线流入灵敏放大器，通过比较该参考单元导通电流与该存储单元的读出电流的幅值以实现对存储数据的读出；编程操作时，目标数据写入存储单元的同时，与该存储单元所在的操作单元对应的参考单元被刷新重写。