[发明专利]光电转换装置用基板及其制造方法、薄膜光电转换装置及其制造方法以及太阳能电池模块无效

专利信息
申请号: 201080065856.7 申请日: 2010-12-07
公开(公告)号: CN102822991A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 松浦努;山林弘也;津田祐树 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李今子
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在基板(1)上具备由透明导电性材料构成的第1电极层(2)的光电转换装置用基板的制造方法中,包括:第1透明导电膜形成工序,在基板(1)上形成第1透明导电膜(21);第2透明导电膜形成工序,在第1透明导电膜(21)上,以在之后的蚀刻工序中与第1透明导电膜(21)相比蚀刻速率低的制膜条件形成第2透明导电膜(22);以及蚀刻工序,对第2以及第1透明导电膜(22、21)进行湿蚀刻,形成至少贯通第2透明导电膜(22)并底部存在于第1透明导电膜(21)内的凹部(52)。
搜索关键词: 光电 转换 装置 用基板 及其 制造 方法 薄膜 以及 太阳能电池 模块
【主权项】:
一种光电转换装置用基板的制造方法,所述光电转换装置用基板在基板上具备由透明导电性材料构成的电极层,该制造方法的特征在于,包括:第1透明导电膜形成工序,在所述基板上形成第1透明导电膜;第2透明导电膜形成工序,在所述第1透明导电膜上,以在之后的蚀刻工序中与所述第1透明导电膜相比蚀刻速率低的制膜条件,形成第2透明导电膜;以及蚀刻工序,对所述第2透明导电膜以及第1透明导电膜进行湿蚀刻,形成贯通所述第2透明导电膜并底部存在于所述第1透明导电膜内的凹部。
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