[发明专利]光电转换装置用基板及其制造方法、薄膜光电转换装置及其制造方法以及太阳能电池模块无效
申请号: | 201080065856.7 | 申请日: | 2010-12-07 |
公开(公告)号: | CN102822991A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 松浦努;山林弘也;津田祐树 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在基板(1)上具备由透明导电性材料构成的第1电极层(2)的光电转换装置用基板的制造方法中,包括:第1透明导电膜形成工序,在基板(1)上形成第1透明导电膜(21);第2透明导电膜形成工序,在第1透明导电膜(21)上,以在之后的蚀刻工序中与第1透明导电膜(21)相比蚀刻速率低的制膜条件形成第2透明导电膜(22);以及蚀刻工序,对第2以及第1透明导电膜(22、21)进行湿蚀刻,形成至少贯通第2透明导电膜(22)并底部存在于第1透明导电膜(21)内的凹部(52)。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 用基板 及其 制造 方法 薄膜 以及 太阳能电池 模块 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置用基板的制造方法,所述光电转换装置用基板在基板上具备由透明导电性材料构成的电极层,该制造方法的特征在于,包括:第1透明导电膜形成工序,在所述基板上形成第1透明导电膜;第2透明导电膜形成工序,在所述第1透明导电膜上,以在之后的蚀刻工序中与所述第1透明导电膜相比蚀刻速率低的制膜条件,形成第2透明导电膜;以及蚀刻工序,对所述第2透明导电膜以及第1透明导电膜进行湿蚀刻,形成贯通所述第2透明导电膜并底部存在于所述第1透明导电膜内的凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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