[发明专利]具有缓冲层的光伏装置无效
| 申请号： | 201080064460.0 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102770969A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 基思·J·布罗斯;安妮特·克瑞斯考;鲍伊·帕什马考威;哈沙德·帕蒂;杨宇;赵志波 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造结构的方法可包括在透明导电氧化物层上形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括含有锌和锡的层，所述透明导电氧化物层包括含有镉和锡的层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲 装置 | ||
【主权项】：
一种结构，所述结构包括：基底；透明导电氧化物层，与所述基底相邻，其中，所述透明导电氧化物层包括镉和锡；以及缓冲层，与所述透明导电氧化物层相邻，其中，所述缓冲层包括锌和锡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
