[发明专利]具有薄n型区域的III-V族发光器件有效
| 申请号： | 201080062108.3 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102714255A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | F.杜邦;J.E.埃普勒 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/42;H01L33/32;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘鹏;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种器件包含半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层。透明导电非III族氮化物材料布置成直接接触n型区域。发光层和透明导电非III族氮化物材料之间的半导体材料的总厚度小于1微米。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 区域 iii 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种器件包括：半导体结构，其包括布置在n型区域和p型区域之间的III‑V族发光层；以及与该n型区域直接接触的透明导电非III族氮化物材料。
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