[发明专利]使用掩模提供图案化基底的方法无效
| 申请号： | 201080060295.1 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102687241A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 马修·S·斯泰;米哈伊尔·L·佩库罗夫斯基 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种制备具有图案化掩模层的基底的方法，所述图案化掩模层具有诸如重复条纹的精细特征。所述方法包括以下步骤：形成基底，所述基底的第一主表面上具有带预定图案的转移层；提供在所述第一主表面上具有所述转移层的所述基底；提供具有主体和多个接触部分的结构化工具，所述接触部分的杨氏模量介于约0.5Gpa至约30Gpa之间；加热所述结构化工具或所述基底；使所述转移层与所述结构化工具接触；冷却所述转移层；并且将所述结构化工具从所述转移层退出，使得所述转移层的一些部分随着所述结构化工具分离，在所述转移层中留下穿过所述转移层一直延伸至所述基底的开口，从而形成具有所述预定图案的所述转移层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 提供 图案 基底 方法 | ||
【主权项】：
一种形成基底的方法，所述基底的第一主表面上具有带预定图案的转移层，所述方法包括：提供在第一主表面上具有转移层的基底；提供具有主体和多个接触部分的结构化工具，所述接触部分的杨氏模量介于约0.5Gpa至约30Gpa之间；加热所述结构化工具或所述基底；使所述转移层与所述结构化工具接触；冷却所述转移层；并且从所述转移层退出所述结构化工具，使得所述转移层的一些部分随着所述结构化工具分离，在所述转移层中留下穿过所述转移层一直延伸至所述基底的开口，从而形成具有预定图案的转移层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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