[发明专利]使用掩模提供图案化基底的方法

权利要求书

1.一种形成基底的方法，所述基底的第一主表面上具有带预定图案的转移层，所述方法包括：

提供在第一主表面上具有转移层的基底；

提供具有主体和多个接触部分的结构化工具，所述接触部分的杨氏模量介于约0.5Gpa至约30Gpa之间；

加热所述结构化工具或所述基底；

使所述转移层与所述结构化工具接触；

冷却所述转移层；并且

从所述转移层退出所述结构化工具，使得所述转移层的一些部分随着所述结构化工具分离，在所述转移层中留下穿过所述转移层一直延伸至所述基底的开口，从而形成具有预定图案的转移层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述转移层的厚度介于约50纳米至约5微米之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个接触部分具有特征高度，并且所述特征高度为所述转移层的厚度的至少2-10倍。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个接触部分具有三角形截面，并且具有至少12微米的特征高度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构化工具为微复制型的。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述结构化工具为工具辊。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述接触在支承辊和所述工具辊之间进行。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在卷对卷工艺中所述接触在作为不定长度材料带的所述基底被推进而通过辊隙时进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述转移层包括蜡。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口的宽度小于20微米。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述预定图案包括在整个所述第一主表面上延伸的条纹。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括将导电层沉积到所述基底上，从而形成第二预定图案。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述导电层包括氧化铟锡。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述导电层包括化学镀覆的金属层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电层包括位于溅镀的钯层上的化学镀覆的铜层。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一主表面包括金属层，并且蚀刻所述基底以从所述预定图案中的开口移除所述金属层。

17.根据权利要求1所述的方法，还包括在从所述转移层退出所述结构化工具之后使所述结构化工具与接受膜接触，从而将随着所述结构化工具分离的所述转移层的所述一些部分以所述预定图案的负像热转移到所述接受膜上。

18.根据权利要求17述的方法，还包括将导电层沉积到所述接受膜上。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触部分的杨氏模量介于约3Gpa至约7Gpa之间。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述接触部分具有三角形截面。