[发明专利]具有CdS/(Zn(S,O))缓冲层的黄铜薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201080057179.4 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102656710A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·梅德;戴安娜·弗尔斯特;克日什托夫·威尔谢米 | 申请（专利权）人： | 索泰克特里有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种黄铜薄膜太阳能电池，所述黄铜薄膜太阳能电池包含CIS吸收体层(14)，直接设置在所述CIS吸收体层上的缓冲层(16)和直接设置在所述缓冲层上的含有ZnO的窗口层(18，20)。所述太阳能电池的特征在于：所述缓冲层由CdS和Zn(S，O)组成，其中，CdS的浓度从所述CIS吸收体层开始向着所述含有ZnO的窗口层降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 cds zn 缓冲 黄铜 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种黄铜薄膜太阳能电池，所述黄铜薄膜太阳能电池包含CIS吸收体层、直接设置在所述CIS吸收体层上的缓冲层和直接设置在所述缓冲层上的含有ZnO的窗口层，其特征在于：所述缓冲层由CdS和Zn(S，O)构成，其中，CdS的浓度从所述CIS吸收体层开始向着所述含有ZnO的窗口层下降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
