[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080056035.7 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102648526A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件包括在绝缘表面上的包括结晶区的氧化物半导体层、与该氧化物半导体层相接触的源电极层和漏电极层、覆盖该氧化物半导体层、该源电极层、以及该漏电极层的栅绝缘层、以及在与结晶区交迭的区域中的栅绝缘层上的栅电极层。结晶区包括其c-轴与基本垂直于氧化物半导体层的表面的方向对齐的晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在绝缘表面上的包括结晶区的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电接触的源电极层和漏电极层；覆盖所述氧化物半导体层、所述源电极层、以及所述漏电极层的栅绝缘层；以及位于所述结晶区上的栅电极层，所述栅绝缘层夹在所述结晶区和所述栅电极层之间，其中所述结晶区包括其c‑轴与基本垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向对齐的晶体。
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