[发明专利]具有改进的底涂层的硅薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201080055989.6 申请日: 2010-12-06
公开(公告)号: CN102804390A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 陆松伟 申请(专利权)人: PPG工业俄亥俄公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0392;H01L31/18;C03C17/245
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 夏正东
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种硅薄膜太阳能电池,包括基材和形成在所述基材至少一部分上的底涂层。所述底涂层包括含氧化锡或二氧化钛的第一层,和含Sn、P、Si、Ti、Al和Zr中至少两种的氧化物的混合物的第二层。导电涂层形成在第一涂层的至少一部分上,其中所述导电涂层包括Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金中的一种或多种的氧化物。
搜索关键词: 具有 改进 涂层 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种硅薄膜太阳能电池,包含:基材;形成在所述基材的至少一部分上的底涂层,该底涂层包含:包含氧化锡或二氧化钛的第一层;和包含组成均匀或不均匀的含Sn、P、Si、Ti、Al和Zr中至少两种的氧化物的氧化物混合物的第二层;和形成在所述底涂层的至少一部分上的导电涂层,其中所述导电涂层包含Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金中的一种或多种的氧化物。
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