[发明专利]磁通导引结构无效
申请号: | 201080055429.0 | 申请日: | 2010-12-07 |
公开(公告)号: | CN102714092A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·约翰·史蒂文斯;马尔科姆·邓肯·麦克卡罗奇 | 申请(专利权)人: | ISIS创新有限公司 |
主分类号: | H01F38/00 | 分类号: | H01F38/00;H01P3/00 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 张亚宁 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明的实施例提供一种结构,包括磁导,其包括多个谐振电路元件(110,120,310F),各元件包括导电环部分(112,122),该环部分(112,122)的相对端通过电容元件(114,124)彼此耦合,磁导(115,315)的相邻谐振元件被布置成彼此磁感应耦合,从而允许磁导(115,315)支持磁感应(MI)波,其中谐振元件(1205)中的至少一个在第一状态与第二状态之间是可切换的,在第一状态中所述元件被布置成支持MI波沿波导传播,在第二状态中所述元件被布置成阻止MI波沿波导传播。 | ||
搜索关键词: | 导引 结构 | ||
【主权项】:
一种结构,包括:磁导,其包括多个谐振电路元件(110,120,310F),各元件包括导电环部分(112,122),该环部分(112,122)的相对端通过电容元件(114,124)彼此耦合,磁导(115,315)的相邻谐振元件被布置成彼此磁感应耦合,从而允许磁导(115,315)支持磁感应(MI)波,其中谐振元件(1205)中的至少一个在第一状态与第二状态之间是可切换的,在第一状态中所述元件被布置成支持MI波沿波导传播,在第二状态中所述元件被布置成阻止MI波沿波导传播。
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