[发明专利]磁通导引结构无效
申请号: | 201080055429.0 | 申请日: | 2010-12-07 |
公开(公告)号: | CN102714092A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·约翰·史蒂文斯;马尔科姆·邓肯·麦克卡罗奇 | 申请(专利权)人: | ISIS创新有限公司 |
主分类号: | H01F38/00 | 分类号: | H01F38/00;H01P3/00 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 张亚宁 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导引 结构 | ||
1.一种结构,包括:
磁导,其包括多个谐振电路元件(110,120,310F),各元件包括导电环部分(112,122),该环部分(112,122)的相对端通过电容元件(114,124)彼此耦合,磁导(115,315)的相邻谐振元件被布置成彼此磁感应耦合,从而允许磁导(115,315)支持磁感应(MI)波,
其中谐振元件(1205)中的至少一个在第一状态与第二状态之间是可切换的,在第一状态中所述元件被布置成支持MI波沿波导传播,在第二状态中所述元件被布置成阻止MI波沿波导传播。
2.如权利要求1所述的结构,其中磁导(115,315)包括基本闭合的磁通路径,所述结构配备有输入部件(131,331) ,用于在所述磁导中感应MI波。
3. 如权利要求2所述的结构,其中所述输入部件包括具有至少一匝的绕组(131,331)。
4. 如权利要求2或3所述的结构,其中所述结构还包括输出部件(132,133),用于通过所述磁导(115)支持的MI波在导体中感应电流。
5. 如权利要求4所述的结构,其中所述输出部件包括具有至少一匝的绕组(132,133)。
6. 如权利要求4或5所述的结构,其中所述结构包括第一输出部件(132)和第二输出部件(133),用于通过磁导支持的MI波分别在第一导体和第二导体中感应电流。
7.如权利要求6所述的结构,其中所述磁导用于通过第一可切换谐振元件(1205)阻止在第一导体(132)中感应电流。
8. 如权利要求6或7所述的结构,其中所述磁导(115)用于通过第二可切换谐振元件(1205’)阻止在第二导体(133)中感应电流。
9. 如权利要求7或8所述的结构,其中所述磁导(115)包括第一和第二基本闭合的磁通路径,所述第一输出部件(132)设置在所述第一路径中而非第二路径中,所述第二输出部件(132)设置在所述第二路径中而非第一路径中。
10.如前面任何一项权利要求所述的结构,其中所述谐振元件(1205)中的至少一个借助于与所述谐振电路元件的环部分(122)串联设置的开关(126)是可切换的。
11.如前面任何一项权利要求所述的结构,包括转子构件(351),该转子构件(351)具有设置在其上的至少一个谐振电路元件310R,所述转子构件(351)关于横轴是可旋转的,从而可使得所述至少一个谐振电路元件310R通过所述磁导(315)的一对相邻的谐振电路元件之间,所述结构能够用于在所述磁导(315)中感应MI波从而使所述转子构件(351)转动。
12. 如权利要求11所述的结构,能够操作,从而所述转子的谐振电路元件(310R)可磁感应耦合到所述磁导的谐振电路元件(310F)中的至少一个,所述耦合被布置成在使所述转子(351)关于所述横轴旋转的方向上、在所述转子(351)的谐振电路元件(310F)与所述磁导(315)的至少一个谐振电路元件之间生成力。
13. 如权利要求11或12所述的结构,其中所述转子(351)配备有围绕所述横轴设置的一圈谐振电路元件(310R),该圈中的各个谐振电路元件设置成离所述横轴基本等距。
14.一种结构,包括:
磁导(115,315),其包括多个谐振电路元件(110,120),各元件包括导电环部分(112,122),该环部分(112,122)的相对端通过电容元件(114,124)彼此耦合,磁导(115,315)的相邻谐振元件(110,120)彼此磁感应耦合,以及,
至少第一绕组构件(131,331),
所述第一绕组构件(131,331) 磁感应耦合到所述磁导的第一谐振电路元件,
所述第一绕组构件(131,331)被布置成当交流电在该第一绕组(131,331)中流动时允许在所述磁导(115,315)中建立磁感应波,所述交流电以充分接近并低于所述磁导(115,315)的谐振电路元件的谐振频率的频率流动。
15. 如权利要求14所述的结构,还包括第二绕组构件(132,133),该第二绕组 (132,133)磁感应耦合到所述磁导(115,315)的第二谐振电路元件。
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