[发明专利]EUV光刻用光学构件及带反射层的EUV光刻用衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201080055041.0 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102640021A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 三上正树 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;G03F1/24;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供抑制了由钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV光学构件、和该EUV光学构件的制造中使用的带功能膜的衬底、以及该带功能膜的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si的中间层。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 用光 构件 反射层 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，所述反射层为Mo/Si多层反射膜，所述保护层为Ru层或Ru化合物层，在所述反射层与所述保护层之间形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si的中间层。
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