[发明专利]RFID标签内置型嵌体与包括其的卡及RFID标签内置型嵌体的制造方法有效
| 申请号： | 201080054992.6 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102918549A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李钟基;罗暻录 | 申请（专利权）人： | 三元FA株式会社;株式会社EMOT |
| 主分类号： | G06K19/07 | 分类号： | G06K19/07 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 韩国釜*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造RFID标签内置型嵌体的RFID标签制造方法。本方法包括以下几个步骤：对由树脂填充的树脂区域和形成规定模式的非树脂区域构成的金属主体表面进行镀金，在上述非树脂区域设置多个模式电路部的步骤；在设置有上述多个模式电路部的主体上层粘接磁心薄膜层的步骤；将上述磁心薄膜层与金属主体分离，并将上述多个模式电路部向上述磁心薄膜层侧转移的步骤；在上述多个模式电路部之间的至少一部分空间设置绝缘部的步骤；在上述绝缘部设置电连接上述多个模式电路部的跳连接线步骤。利用本方法，能够很容易地制造出RFID标签内置型嵌体。 | ||
| 搜索关键词： | rfid 标签 内置 嵌体 包括 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种RFID标签内置型嵌体制造方法，其特征在于，包括以下几个步骤：对由树脂填充的树脂区域和形成规定模式的非树脂区域构成的主体表面进行镀金，在上述非树脂区域设置多个模式电路部的步骤；在设置有上述多个模式电路部的主体上层粘接磁心薄膜层的步骤；将上述磁心薄膜层分离，向上述磁心薄膜层侧转移上述多个模式电路部的步骤；在上述多个模式电路部之间的空间上设置绝缘部的步骤；在上述绝缘部设置电连接上述多个模式电路部的跳线的步骤。
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