[发明专利]用于电子功率组件、光电组件或者光伏组件的异质结构

摘要

本发明涉及一种用于电子功率组件、光电组件或者光伏组件的制造的异质结构(1)，其包括：电阻率小于10^-3ohm.cm并且热导率大于100W.m^-1.K^-1的支撑基板(10)、接合层(2)、Al_xIn_yGa_(1-x-y)N的单晶晶种层(3)、具有3至100微米的厚度的Al_xIn_yGa_(1-x-y)N的无裂纹的单晶有源层(4)，其中：晶种层和接合层之间的比接触电阻小于或等于0.1ohm.cm²，支撑基板、接合层和晶种层的材料在大于750℃的温度是难熔的，并且晶种层的晶格参数与有源层的晶格参数的差小于0.005。

主权项

1.一种用于电子功率组件、光电组件或者光伏组件的制造的异质结构(1)，所述异质结构从其底部到其表面连续地包括：·支撑基板(10)，所述支撑基板的材料具有小于10^-3ohm.cm的电阻率和大于100W.m^-1.K^-1的热导率，·接合层(2)，·单晶晶种层(3)，所述单晶晶种层的材料的组成式为Al_xIn_yGa_(1-x-y)N，其中0≤x≤1,0≤y≤1并且x+y≤1，·单晶层(4)，即所谓的“有源层”，所述单晶层的材料的组成式为Al_xIn_yGa_(1-x-y)N，其中0≤x≤1,0≤y≤1并且x+y≤1，所述异质结构的特征在于：·所述有源层(4)是具有3至100微米的厚度的无裂纹的层，·所述晶种层(3)和所述接合层(2)之间的比接触电阻小于或等于0.1ohm.cm²，并且·所述支撑基板(10)、所述接合层(2)和所述晶种层(3)的材料在大于750℃的温度是难熔的，优选地在大于1000℃的温度是难熔的，并且·所述晶种层(3)的晶格参数与所述有源层(4)的材料的晶格参数的差小于