[发明专利]二氟化氙蚀刻工艺中的改进的选择性有效
| 申请号： | 201080052626.7 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102712462A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·奥哈拉 | 申请（专利权）人： | 梅姆斯塔有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/3065;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 武晶晶;郑霞 |
| 地址： | 英国爱丁*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 用于蚀刻微结构及类似物的方法和装置，当使用二氟化氙(XeF2)蚀刻硅时，所述方法和装置对周围材料提供改进的选择性。通过向处理室添加氢气大大增强了蚀刻选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 蚀刻 工艺 中的 改进 选择性 | ||
【主权项】：
一种在处理室中蚀刻硅(Si)以产生一个或多个微结构的方法，所述方法包括以下步骤：(a)从蚀刻材料源产生包括二氟化氙(XeF2)的蚀刻材料蒸汽；(b)将所述蚀刻材料蒸汽输送到所述处理室；以及(c)将包括氢气的第二气体引入所述处理室。
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