[发明专利]CVD装置无效
申请号: | 201080052380.3 | 申请日: | 2010-10-08 |
公开(公告)号: | CN102686774A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | D·希拉布兰德;K·麦科伊 | 申请(专利权)人: | 赫姆洛克半导体公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过腔室且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极包括具有第一端和第二端的轴,以及被布置在轴的端中一个上的头部。电极的头部具有外部表面,该外部表面具有触头。外部涂层被布置在接触区外的电极的外部表面上。根据mm3/N*m测量,外部涂层具有比镍更大的耐磨性。 | ||
搜索关键词: | cvd 装置 | ||
【主权项】:
一种用于在载体上沉积材料的制造装置,该载体具有彼此间隔的第一端和第二端且带有被布置在所述载体的每个端的插座,所述装置包括:外壳,其限定了腔室;入口,其被限定为穿过所述外壳,以用于将气体引入所述腔室;出口,其被限定为穿过所述外壳,以用于将所述气体从所述腔室排出;至少一个电极,其被布置穿过所述外壳且所述电极至少部分地被布置于所述腔室内,以用于与所述插座耦合,所述电极包括:轴,其具有第一端和第二端;头部,其被布置在所述轴的所述端之一上,其中所述电极的所述头部具有外部表面,所述外部表面具有适于接触所述插座的接触区;电源设备,其被耦合到所述电极,以用于将电流提供到所述电极;以及外部涂层,其被布置在所述接触区外的所述电极的所述外部表面上,以mm3/N*m度量,所述外部涂层具有比镍更大的耐磨性。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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