[发明专利]CVD装置无效

专利信息
申请号: 201080052380.3 申请日: 2010-10-08
公开(公告)号: CN102686774A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: D·希拉布兰德;K·麦科伊 申请(专利权)人: 赫姆洛克半导体公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 周靖;郑霞
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过腔室且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极包括具有第一端和第二端的轴,以及被布置在轴的端中一个上的头部。电极的头部具有外部表面,该外部表面具有触头。外部涂层被布置在接触区外的电极的外部表面上。根据mm3/N*m测量,外部涂层具有比镍更大的耐磨性。
搜索关键词: cvd 装置
【主权项】:
一种用于在载体上沉积材料的制造装置,该载体具有彼此间隔的第一端和第二端且带有被布置在所述载体的每个端的插座,所述装置包括:外壳,其限定了腔室;入口,其被限定为穿过所述外壳,以用于将气体引入所述腔室;出口,其被限定为穿过所述外壳,以用于将所述气体从所述腔室排出;至少一个电极,其被布置穿过所述外壳且所述电极至少部分地被布置于所述腔室内,以用于与所述插座耦合,所述电极包括:轴,其具有第一端和第二端;头部,其被布置在所述轴的所述端之一上,其中所述电极的所述头部具有外部表面,所述外部表面具有适于接触所述插座的接触区;电源设备,其被耦合到所述电极,以用于将电流提供到所述电极;以及外部涂层,其被布置在所述接触区外的所述电极的所述外部表面上,以mm3/N*m度量,所述外部涂层具有比镍更大的耐磨性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赫姆洛克半导体公司,未经赫姆洛克半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080052380.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top